NPN-Transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V - BFP193E6327

NPN-Transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V - BFP193E6327. NPN-Transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorstrom: 80mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. BE-Diode: NINCS. C(in): 0.9pF. Kosten): 0.28pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RCs. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code-RCs. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 16:25.