NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 400V, 1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 1W

NPN-Transistor, 50V, 3A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 0.75W. Max Frequenz: 90MHz

NPN-Transistor, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 18A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hohe Geschwindigkeit.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 35A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 10A, 800V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V

NPN-Transistor, EMT6. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H21. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H21. Anzahl der Terminals: 6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*

NPN-Transistor, EMT6. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H9C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H9C. Anzahl der Terminals: 6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: INFI->PANAS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Unijunction-Transistor UJT, Hi-Beta, Lo-Sat. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX788. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX550. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrom: 300mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 240 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 35V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX753. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX790. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat)0,92V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V