NPN-Transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BF459

NPN-Transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BF459. NPN-Transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 5.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 15:25.