NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD139-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126 FULLPACK. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 10W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 80V, 1.5A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 12.5W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 375V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 3mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD179G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.03W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 1.5A, 100V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD237. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD238

NPN-Transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD238. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD237G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 30W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD240C

NPN-Transistor, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 3A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 40W. Max Frequenz: 3MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 6A, 100V, 6A, TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD243C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD243C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C

NPN-Transistor, 10A, 115V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C