NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD243C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD243C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 10A, 115V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, SOT-82, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: SOT-82. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Hinweis: >750. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 22V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD438. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V

NPN-Transistor, 80V, 4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD441G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD649. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, 45V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677AG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD679. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V