NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C

NPN-Transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 20 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 80W. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-Transistor, 100V, 12A, TO-220FP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 33W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C

NPN-Transistor, 80V, 8A, TO-220-F. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 20W. Max Frequenz: 20MHz

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 60W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Funktion: Audioverstärker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltnetzteil. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 750V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Kosten): 3.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. Widerstand B: NPN-Transistor. BE-Widerstand: RF-POWER. C(in): 25V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor. Funktion: TV-ZF-reVHF. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF240. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.22W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Kosten): 2pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF421. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF423. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 5.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.5A, 250V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.5A, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 0.05A, 400V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-93