NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BH. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: XGs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10k Ohms. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XCs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XCs. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: EF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Hinweis: >420. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCW60RC. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-Transistor, AF-Anwendungen und -Umschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EKs. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX42. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...150°C. VCBO: 125V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: bM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Audio- und Videoverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BH. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code BH. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Audio- und Videoverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Ic(Impuls): 1.5A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BK. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BK. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX53-10. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BL. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BL. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BL. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX53-16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: NF-TR. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AK*. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 0.34W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-206AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCY59-9. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 3A, 60V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 18.5W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Audioverstärker und Anwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD139. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD139-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126 FULLPACK. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 10W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V