NPN-Transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V - BFG67X

NPN-Transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V - BFG67X. NPN-Transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. BE-Diode: NINCS. C(in): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: %MW. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code MW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 16:25.