NPN-Transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V - BFG591

NPN-Transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V - BFG591. NPN-Transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 0.7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: Für VHF/UHF-Antennenverstärker und HF-Kommunikationsanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Anzahl der Terminals: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 16:25.