NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 210mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 210mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -NPN -Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: R7s. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Kollektorstrom: 0.045A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. C(in): 0.64pF. Kosten): 0.23pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Pd (Verlustleistung, max): 0.28W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 15V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. BE-Diode: NINCS. C(in): 1.2pF. Kosten): 0.6pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 65. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code P2P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2p. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 45mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -NPN -Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GFs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.28W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 35mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Spec info: SMD R2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 15V. Vebo: 2V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-37 ( TO-50 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-37 ( TO-50 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich für Antennenverstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Planarer HF-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: E2. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Funktion: „ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 25mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1*. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, 0.2A, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-A. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 200mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -NPN -Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFU590G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 24V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8.5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BFV421. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-72. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-72. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Gehäuse: TO-50. Kollektorstrom: 0.025A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Widerstand B: NINCS. BE-Diode: Hochfrequenz -NPN -Transistor. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): TO-50. CE-Diode: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3.2GHz. Funktion: Breitband-HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Spec info: „Planarer HF-Transistor“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V

NPN-Transistor, 1A, 100V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. Hinweis: b>70. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.25A, 50V. Kollektorstrom: 1.25A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 1.07W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, 36V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, 40V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Äquivalente: ISP452. RoHS: ja. Spec info: miniPROFET. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AS3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 8pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Spec info: Siebdruck/CMS-Code U8. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 60 ns. Tr: 25 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: U8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. C(in): 90pF. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AR4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code AR4. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 1000 ns. Tr: 250 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V