NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, 50mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 0.5A, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, 15V. Kollektorstrom: 25mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-V M/O. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1V. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-202, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W

NPN-Transistor, 50mA, 275V. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 275V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz Breitbandtransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 25V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Kosten): 0.7pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: Für VHF/UHF-Antennenverstärker und HF-Kommunikationsanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 3V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. C(in): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: V3%. Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/CMS-Code V3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. C(in): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: %MW. Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/SMD-Code MW. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Verlustleistung, max): 1.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorstrom: 80mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. C(in): 0.9pF. Kosten): 0.28pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RCs. Pd (Verlustleistung, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/SMD-Code-RCs. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.3A, 100V. Kollektorstrom: 0.3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BFQ252. Hinweis: Tc.=115°C

NPN-Transistor, 0.15A, 25V. Kollektorstrom: 0.15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-A. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 1.25A, 36V. Kollektorstrom: 1.25A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 210mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 210mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: R7s. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Kollektorstrom: 0.045A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. C(in): 0.64pF. Kosten): 0.23pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Pd (Verlustleistung, max): 0.28W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 15V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. C(in): 1.2pF. Kosten): 0.6pF. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 65. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2p. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code P2P. Konditionierungseinheit: 3000. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 25mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 45mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GFs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.28W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 35mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R2. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 15V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: SMD R2. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-37 ( TO-50 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-37 ( TO-50 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich für Antennenverstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Planarer HF-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: E2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Funktion: „ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 25mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1*. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W