Transistoren

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kollektorstrom: 4A. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 40W. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD681G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD682G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Hinweis: >750. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD809G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD810G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Gehäuse: TO-202. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-202; SOT128B. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD829. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD902

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Hinweis: >750. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD901

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 15A. Kosten): 90W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP949. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP950. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT64C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV64BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65B

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C