Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BD682

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BD682. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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