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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 100V, 4A - BD682

NPN-Transistor, 100V, 4A - BD682

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NPN-Transistor, 100V, 4A - BD682. NPN-Transistor, 100V, 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 17:25.

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