NPN-Transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A - BD681

NPN-Transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A - BD681. NPN-Transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 4A. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 13:25.