NPN-Transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD681

NPN-Transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD681. NPN-Transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 02:25.