Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltnetzteil. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 750V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1

Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Kosten): 3.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorstrom: 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Widerstand B: NPN-Transistor. BE-Widerstand: RF-POWER. C(in): 25V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Funktion: TV-ZF-reVHF. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF240. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Transistortyp: FET-Transistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 2mA. Maximaler Drainstrom: TO-92

C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): AM/FM/VHF. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF246A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 10mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 39V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 14.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.6V. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.22W

Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: für VHF/UHF-HF-Verstärker. IDSS (max): 13mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (Verlustleistung, max): 350W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: für VHF/UHF-HF-Verstärker. IDSS (max): 18mA. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Kollektorstrom: 25mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1

Kosten): 2pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 500mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF421. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja

Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF423. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 0.05A. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF422

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF450. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 350 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: HF- und ZF-Stufen in Funkempfängern. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 25mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS