Transistoren

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV65BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV64B

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW42G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW47G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW83C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84D

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW84D. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83D

Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 20 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 80W. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 12A. Leistung: 33W. Gehäuse: TO-220FP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: komplementärer Transistor (Paar) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C

Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDX34CG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 20W. Max Frequenz: 20MHz. Gehäuse: TO-220-F

Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 60W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Funktion: Audioverstärker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Konditionierung: Kunststoffrohr. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Produktionsdatum: 2014/32. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Leistungstransistor. BE-Widerstand: Darlington-Transistor. C(in): -100V. Kosten): -8A. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX53C. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Audioverstärker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: R1 typ. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX53F. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C