Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

BD830

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BD830. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Gehäuse: TO-202. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-202; SOT128B. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD829. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 18:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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