Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BD901

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BD901. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD902. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C
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Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C
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