BDT64C

BDT64C. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 18:25.