Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP3NB80

STP3NB80
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STP3NB80. C(in): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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STP3NK80Z

STP3NK80Z

C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistort...
STP3NK80Z
C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
STP3NK80Z
C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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