STP5NK80ZFP

STP5NK80ZFP. Kanaltyp: N. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.3A. Leistung: 110W. Gehäuse: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.