Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP55NE06

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STP55NE06. C(in): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

Technische Dokumentation

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STP55NF06

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C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion...
STP55NF06
C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
STP55NF06
C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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STP65NF06

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STP65NF06
C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 70us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P65NF06. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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