Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP4NB80FP

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STP4NB80FP. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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C(in): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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