STP30NF10

STP30NF10. C(in): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 110us. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.