STP200N4F3

STP200N4F3. C(in): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 200N4F3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schalten, Automobilanwendungen. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.