STP16NF06

STP16NF06. C(in): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P16NF06. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit, niedrige Gate-Ladung. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.