STP13NM60N

STP13NM60N. C(in): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.