Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.34€ | 3.97€ |
5 - 9 | 3.17€ | 3.77€ |
10 - 24 | 3.00€ | 3.57€ |
25 - 49 | 2.84€ | 3.38€ |
50 - 66 | 2.77€ | 3.30€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.34€ | 3.97€ |
5 - 9 | 3.17€ | 3.77€ |
10 - 24 | 3.00€ | 3.57€ |
25 - 49 | 2.84€ | 3.38€ |
50 - 66 | 2.77€ | 3.30€ |
STP11NM60ND. C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.
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