STP14NF12

STP14NF12. C(in): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NF12. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.