STD4NK60ZT4

STD4NK60ZT4. C(in): 510pF. Kosten): 47pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.