STP100N8F6

STP100N8F6. C(in): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 38 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 100N8F6. Pd (Verlustleistung, max): 176W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 80V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.