Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - STD7NM60N

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - STD7NM60N
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N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - STD7NM60N. N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.84 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. Kosten): 24.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 213 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 7NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. C(in): 363pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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N-Kanal-Transistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. Id(imp): 28A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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N-Kanal-Transistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. Id(imp): 28A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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