STD5N52K3

STD5N52K3. C(in): 545pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Anzahl der Kanäle: 1. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52K3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 525V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert, niedriges IDSS. Spec info: Enhancement type. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.