Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 550A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR 6060. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8100E. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U820. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR860. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U860. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U880E. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Dioden-Tff (25 °C): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1D. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1D

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3D

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S R6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 500A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A08. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A12. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 10A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323F. VRRM: 60V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode (Mega-Serie). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EQ. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.66V. Durchlassspannung Vf (min): 0.21V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Gehäuse (laut Datenblatt): A-405 (5.2x2.7mm). Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Hinweis: DAEWOO TV

Hinweis: SONY TV

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. VRRM: 350V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Funktion: Schnell schaltende Diode mit schneller Erholung. Spec info: IFMS 100Ap

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 530V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V