Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A08. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A12. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 10A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323F. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode (Mega-Serie). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EQ. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.66V. Durchlassspannung Vf (min): 0.21V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Hinweis: DAEWOO TV

Hinweis: SONY TV

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. VRRM: 350V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Diode mit schneller Erholung. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 530V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.65V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap. Gewicht: 0.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 2A. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm

Vorwärtsstrom (AV): 2A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 125A/PP. Hinweis: GI, S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: 125App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage