Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 0.83€ | 0.99€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.94€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.89€ |
25 - 32 | 0.70€ | 0.83€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.83€ | 0.99€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.94€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.89€ |
25 - 32 | 0.70€ | 0.83€ |
RG2Y. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 13:25.
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