Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

RGP30M

RGP30M
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RGP30M. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 125App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: GI, S. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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