Standard- und Gleichrichterdioden

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Vorwärtsstrom (AV): 10A/diode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: total 20A, IFSM 150App

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Hinweis: 20A/150App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.72V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. VRRM: 45V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B3100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.69V. VRRM: 100V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B340. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 60V. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B360. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.08V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. VRRM: 60V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Schaltnetzteil, Leistungsgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 80A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.97V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 250V

Menge pro Karton: 2. Dielektrisches Material: gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 45V

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Hinweis: 10A-150App/diode. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB ( D2Pak ). Schwellenspannung Vf (max): 0.72V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. Vr: 100V. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: Ifsm 1060A (p = 5us)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 2 X 3A. Ifsm [A]: 75A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 50V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.1mA..15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 3A

Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 35mA. MRT (min): 1.4mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 853LG. RoHS: ja. Schottky-Diode?: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): Dpak-3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.51V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V. VRRM: 35V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: Ifsm 150Ap

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: Vf 0.6V/1A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code B14L. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AA. VRRM: 40V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B19. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B19

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 130A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B310. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B320. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.84V. VRRM: 200V. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B33. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 30 v. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B34. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.525V. Durchlassspannung Vf (min): 0.525V. VRRM: 40V. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diodenmodul, „Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)“. Vorwärtsstrom (AV): 75A. IFSM: 1200A. Hinweis: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Hinweis: Abmessungen 92x20,8x30mm. Hinweis: 2-Dioden-Modul. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-240. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-240AA. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.58V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. VRRM: 1200V. Spec info: Isolierung 3600V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Netzdiodenmodul, Hochstrom. Vorwärtsstrom (AV): 880A. IFSM: n/a. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 94x34x30mm. Pd (Verlustleistung, max): 1100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 3600V, 50/60Hz. Technologie: Duale gemeinsame Kathodendiode (HiPerFREDTM). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Pinbelegung: M6-Schrauben (x3). Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A