Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P600K

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P600K. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A08. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Originalprodukt vom Hersteller Dc Components, Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Gehäuse: P600. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 6A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 5A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 25uA / 1000V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Information: 1V @ 5A. Serie: P600. MSL: 10uA
P600M
Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). VRRM: 1000V. Gehäuse: P600. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 6A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 5A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 25uA / 1000V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Information: 1V @ 5A. Serie: P600. MSL: 10uA
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