Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RGP10G

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RGP10G. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 06:25.

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UF4007

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleiter...
UF4007
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
UF4007
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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RGP10J

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2...
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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