Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Äquivalente: MUR1100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: ultraschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.9V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--35App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Äquivalente: MUR4100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR420. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.89V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR460. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.28V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. MRT (maximal): 900uA. MRT (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR480E. Äquivalente: MUR480ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 550A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR 6060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8100E. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U820. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR860. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U860. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U880E. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: ja. Dioden-Tff (25 °C): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1D. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1D. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3D. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S R6. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S, R6. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 500A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V