Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28.7k Ohms. Äquivalente: P1000M, 10A07-TP. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 330A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Äquivalente: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Vorwärtsstrom (AV): 150A. IFSM: 1600A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.13V. Durchlassspannung Vf (min): 0.99V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode

Vorwärtsstrom (AV): 150A. IFSM: 1500A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode

Vorwärtsstrom (AV): 19A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 15V. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Hinweis: 700App/5us, 330App/10ms. Hinweis: Vfm 0.36V/19A

VRRM: 100V. Gehäuse: DO41. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: DO-41 ( DO-204AL ). Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.1V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: <50uA / 100V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Produktserie: 1N40

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Gehäuse: SOD-323. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323F. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 1uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 1,7x1,25x1mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Vorwärtsstrom (AV): 500mA. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Vorwärtsstrom [A]: 0.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 4A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA

Vorwärtsstrom (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 75V. Trr-Diode (Min.): 2 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Schaltdiode, Ifsm 1us 2A. MRT (maximal): 50nA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: 30App/8.3ms

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifier. MRT (maximal): uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 3.3mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode. Hinweis: Tunneldiode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. Spec info: IFSM--50Ap

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hohe Strombelastbarkeit, geringer Vorwärtsspannungsabfall. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms