Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Vorwärtsstrom (AV): 0.15A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: IFSM 0.75App/10ms

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 063. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 2A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 100mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 75V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: SMD 0805. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U45. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.47V. Durchlassspannung Vf (min): 0.33V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U60. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.58V. Durchlassspannung Vf (min): 0.39V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast switching. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Äquivalente: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 265A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. MRT (maximal): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.77V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Äquivalente: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Spec info: Pinbelegung 60EPUxx 1

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 850A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 165A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode mit doppelter Leistung. MRT (maximal): 30mA. MRT (min): 50uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.71V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: 50Ap / 10ms