Standard- und Gleichrichterdioden

Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 500V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Cj: 35pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Äquivalente: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 265A. MRT (maximal): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Cj: 50pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 600A. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Äquivalente: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Spec info: Pinbelegung 60EPUxx 1

Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 850A. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2 (TO-220AC). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. VRRM: 100V

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode mit doppelter Leistung. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 165A. MRT (maximal): 30mA. MRT (min): 50uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.71V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: 50Ap / 10ms