Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): PCB-Löten. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Hinweis: IFSM--50Ap/10mS. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Hinweis: Total IF(AV) 2ch 30A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.001mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SB3200. Äquivalente: Vishay--VSB3200. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.68V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.79V @ 5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Schottky-Gleichrichterdiode. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 125Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.67V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dual Schottky Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.85V @ 10A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 300uA..7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: SMPS DIODE. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Schottky-Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: P-600. Gehäuse (laut Datenblatt): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.3mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.42V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD-80. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 10A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.5V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.5mA..5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Vorwärtsstrom [A]: 2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 55A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0,85 V bei 2 A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 500uA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK24A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V