NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, TO-92, 200mA, PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Herstellerkennzeichnung: 2N3904. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. C(in): 30pF. Kosten): 6.5pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 0.9A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. C(in): 10pF. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 900. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V

NPN-Transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorstrom: 0.4A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.2GHz. Maximaler hFE-Gewinn: 210. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V

NPN-Transistor, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. RoHS: ja. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 600mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 5551. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 500pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5884. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5886G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 12A, 100V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Hinweis: b>750. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, M135, 36V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): M135. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Pd (Verlustleistung, max): 12W. Spec info: SD1012. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6287. Gewicht: 11.8g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Funktion: Verstärker- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+165°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 15mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6488G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.075W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6520. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.6A, 50V. Kollektorstrom: 0.6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-202, 3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/45V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, 0.1A, 210V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 210V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 7.9W. Spec info: 8-726-720-00. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 700mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V/60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 0.5A, 50V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Hinweis: hFE 100..200. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA673A. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W