NPN-Transistor, 5A, M135, 36V - 2N6080

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NPN-Transistor, 5A, M135, 36V - 2N6080. NPN-Transistor, 5A, M135, 36V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): M135. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Pd (Verlustleistung, max): 12W. Spec info: SD1012. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller Microsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.

Technische Dokumentation

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