NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C1881. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Videoausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffus“. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.5A, 200V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, 35V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.6A, TO-220, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-Tr/E. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 0.1A, 35V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 700mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

NPN-Transistor, PCB-Löten, E-33, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: E-33. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA940. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 27 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 900mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA966. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA968. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Geräuscharmer Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 350. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2240BL. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970BL. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C224GR. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970GR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-236, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W