NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-202, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.05A, 50V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: 9mm Höhe. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, 5A, 500V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 8A, 400V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, TO-92, PCB-Löten, 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse: PCB-Löten. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92S ( SPT SC-72 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1710. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220C, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 15mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W

NPN-Transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1815Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +120°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1015Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1841. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 580. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: KSC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Samsung--0501-000354. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126B-A1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 340. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 3.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3.5A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC1875. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 500V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C