NPN-Transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V - 2N5886

NPN-Transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V - 2N5886. NPN-Transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 500pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5884. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.