Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488. NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Funktion: Verstärker- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+165°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.

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BD911

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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Dat...
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 15A. Kosten): 90W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 15A. Kosten): 90W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Date...
2N6488-HTC
NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491
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