NPN-Transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V - 2N5109

NPN-Transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V - 2N5109. NPN-Transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorstrom: 0.4A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.2GHz. Maximaler hFE-Gewinn: 210. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.