NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - 2N5088

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - 2N5088. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. C(in): 10pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 900. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Funktion: Rauscharmer HI-FI-Vorverstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 22:25.