KSC2310-Y

KSC2310-Y. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.05A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.